Cymer公司今天宣布了全球首个用于45nm沉浸微影成像术生产工艺的氟化氩(ArF)气体激光源，型号XLR 500i。Cymer主要为半导体生产业提供远紫外线(DUV)激光源。

ArF激光源通常用于产生高能量激光束，持续时间5-20ns，重复频率可达2000MHz。Cymer称，与上一代产品相比，新的ArF设备的能量稳定性提高了50％，成本则降低了20％以上。

沉浸微影成像术生产工艺是193nm波长远紫外线平版印刷术的下一个发展阶段，现在已经准备就绪，而该技术再向前发展就需要采用极端远紫外线(EUV)，可使用13.5nm工艺印刷电路，那将是一次重大的、昂贵的芯片生产工艺转换过程。

目前，65nm工艺处理器已经大规模量产，而芯片生产商认为，到2009年左右推出32nm处理器时，必须转向极端远紫外线(EUV)，不过IBM已经展示了采用DUV的29.9nm工艺。